对比图
型号 STP18NM80 STP21N65M5 STP5N95K3
描述 STMICROELECTRONICS STP18NM80 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STP21N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 650 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 VN 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 - 1 1
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.25 Ω 0.15 Ω 3 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 190 W 125 W 90 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
输入电容 - 1950 pF -
漏源极电压(Vds) 800 V 650 V 950 V
漏源击穿电压 - 650 V -
连续漏极电流(Ids) - 17A -
上升时间 28 ns 10 ns 7 ns
输入电容(Ciss) 2070pF @50V(Vds) 1950pF @100V(Vds) 460pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 190 W 125 W 90 W
下降时间 50 ns 12 ns 18 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 190W (Tc) 125W (Tc) 90W (Tc)
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.4 mm - 10.4 mm
宽度 4.6 mm - 4.6 mm
高度 15.75 mm - 15.75 mm
材质 - Silicon -
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -
香港进出口证 NLR - -