STMICROELECTRONICS STP21N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 650 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V
通孔 N 通道 650 V 17A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
得捷:
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
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N沟道 650V 17A
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MOSFET N-channel 650 V MDMesh M5
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晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 650 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V
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Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
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**N-CH 650V 17A 159mOhm TO220-3 **
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 17A TO-220
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.15 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 4 V
输入电容 1950 pF
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
连续漏极电流Ids 17A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 1950pF @100VVds
额定功率Max 125 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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