STP21N65M5

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STP21N65M5概述

STMICROELECTRONICS  STP21N65M5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 650 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V

通孔 N 通道 650 V 17A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB


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MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB


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N沟道 650V 17A


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MOSFET N-channel 650 V MDMesh M5


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Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


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**N-CH 650V 17A 159mOhm TO220-3 **


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MOSFET N-CH 650V 17A TO-220


STP21N65M5中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.15 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 4 V

输入电容 1950 pF

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

连续漏极电流Ids 17A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 1950pF @100VVds

额定功率Max 125 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STP21N65M5
型号: STP21N65M5
描述:STMICROELECTRONICS  STP21N65M5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 650 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V
替代型号STP21N65M5
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