对比图
型号 FQD1N80TM STD7NM80 STD1NK80ZT4
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD1N80TM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 A, 800 V, 15.5 ohm, 10 V, 5 VN 通道 MDmesh™，800V/1500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STD1NK80ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 A, 800 V, 13 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 中高压MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 800 V - 800 V
额定电流 1.00 A - 1.00 A
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 15.5 Ω 0.95 Ω 13 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 45 W 90 W 45 W
阈值电压 5 V 4 V 3.75 V
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
漏源击穿电压 800 V - 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 1.00 mA 3.25 A 1.00 A
上升时间 25 ns 8 ns 30 ns
输入电容(Ciss) 195pF @25V(Vds) 620pF @25V(Vds) 160pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 90 W 45 W
下降时间 25 ns 10 ns 55 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 90W (Tc) 45000 mW
通道数 - - 1
输入电容 - - 160 pF
栅电荷 - - 7.70 nC
正向电压(Max) - 1.3 V -
长度 6.6 mm 6.6 mm 6.6 mm
宽度 6.1 mm 6.2 mm 6.2 mm
高度 2.3 mm 2.4 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99