BC847BTT1G和BC847CLT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC847BTT1G BC847CLT1G 2SC4617G

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC847BTT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 450 hFEON SEMICONDUCTOR  BC847CLT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFENPN硅通用晶体管放大器NPN通用放大器晶体管表面贴装 NPN Silicon General Purpose Amplifier Transistor NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SC-75-3 SOT-23-3 SOT-416

频率 100 MHz 100 MHz 180 MHz

额定电压(DC) 45.0 V 45.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

针脚数 3 3 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 200 mW 300 mW 0.125 W

增益频宽积 100 MHz 100 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 50 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 200 420 120 @1mA, 6V

额定功率(Max) 225 mW 300 mW 125 mW

直流电流增益(hFE) 450 420 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -50 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 125 mW

额定功率 - 300 mW -

长度 1.8 mm 2.9 mm -

宽度 0.8 mm 1.3 mm -

高度 0.9 mm 0.94 mm -

封装 SC-75-3 SOT-23-3 SOT-416

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2016/06/20 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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