FDB6035AL和ISL9N310AS3ST

对比图

型号 FDB6035AL ISL9N310AS3ST FDB8880

描述 N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFETN沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB8880  晶体管, MOSFET, N沟道, 54 A, 30 V, 9.5 mohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

封装 TO-263 TO-252-3 TO-263-3

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 - - 3

漏源极电阻 12.5 mΩ 15.0 mΩ 0.0095 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 58.0 W 70 W 55 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 48.0 A 62.0 A 54.0 A

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 - - 54.0 A

针脚数 - - 3

阈值电压 - - 2.5 V

输入电容 - - 1.24 nF

栅电荷 - - 22.0 nC

上升时间 - - 107 ns

输入电容(Ciss) - - 1240pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - - 55 W

下降时间 - - 51 ns

耗散功率(Max) - - 55 W

长度 - 6.73 mm 10.67 mm

宽度 - 6.22 mm 11.33 mm

高度 - 2.39 mm 4.83 mm

封装 TO-263 TO-252-3 TO-263-3

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99