对比图
型号 STGW30H65FB STGW30NC60W IRGP4062-EPBF
描述 Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 TubeN沟道30A - 600V - TO- 247超快速开关的PowerMESH IGBT N-CHANNEL 30A - 600V - TO-247 Ultra FAST Switching PowerMESH IGBTIGBT 晶体管 IR IGBT 600V 600V 24A TO-247AD
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
耗散功率 260 W 200 W 250 W
击穿电压(集电极-发射极) 650 V 600 V 600 V
额定功率(Max) 260 W 200 W 250 W
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 260000 mW 200000 mW 250000 mW
额定电压(DC) - 600 V -
额定电流 - 60.0 A -
漏源极电阻 - 2.50 Ω -
极性 - N-Channel -
漏源击穿电压 - 600 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) - 30.0 A -
上升时间 - 12.0 ns -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
长度 - 15.75 mm -
宽度 - 5.15 mm -
高度 - 20.15 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 -