对比图
型号 FDC655BN SI1903DL-T1-E3 PMN40LN,135
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC655BN 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 VMOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6NXP PMN40LN,135 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 0.032 ohm, 10 V, 1.5 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 TSOT-23-6 SC-70-6 SOT-457
漏源极电阻 0.021 Ω 995 mΩ 0.032 Ω
极性 N-Channel P-Channel, Dual P-Channel N-Channel
耗散功率 1.6 W 300 mW 1.75 W
漏源极电压(Vds) 30 V 20 V 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±12.0 V -
连续漏极电流(Ids) 6.30 A 440 mA 5.40 A
额定功率(Max) 800 mW 270 mW 1.75 W
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 6.30 A - -
针脚数 6 - 6
阈值电压 1.9 V - 1.5 V
输入电容 570 pF - -
栅电荷 10.0 nC - -
漏源击穿电压 30.0 V - -
上升时间 4 ns - 7 ns
输入电容(Ciss) 570pF @15V(Vds) - 555pF @25V(Vds)
下降时间 3 ns - 8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 1.6 W - 1.75W (Tc)
封装 TSOT-23-6 SC-70-6 SOT-457
长度 3 mm - 3.1 mm
宽度 1.7 mm - 1.7 mm
高度 1 mm - 1 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -