对比图
型号 PD54008-E PD54008S-E PD54008
描述 RF功率晶体管， LDMOST塑料家族的N沟道增强模式，横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETsRF功率晶体管， LDMOST塑料家族的N沟道增强模式，横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETsRF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 晶体管晶体管晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 PowerSO-10 PowerSO-10RF PowerSO-10-4
频率 500 MHz 500 MHz 500 MHz
额定电压(DC) 25.0 V - -
额定电流 5 A - -
耗散功率 73000 mW 73000 mW 73 W
漏源极电压(Vds) 25.0 V 25 V -
连续漏极电流(Ids) 5.00 A - 5.00 A
输出功率 8 W 8 W 8 W
增益 11.5 dB 11.5 dB 11.5 dB
测试电流 150 mA 150 mA 150 mA
输入电容(Ciss) 91pF @7.5V(Vds) 91pF @7.5V(Vds) -
工作温度(Max) 165 ℃ 165 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ 65 ℃
耗散功率(Max) 73000 mW 73000 mW -
额定电压 25 V 25 V 25 V
极性 - - N-Channel
漏源击穿电压 - - 25 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
封装 PowerSO-10 PowerSO-10RF PowerSO-10-4
长度 - - 7.5 mm
宽度 - - 9.4 mm
高度 - - 3.5 mm
工作温度 -65℃ ~ 165℃ -65℃ ~ 165℃ -
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 -