对比图
型号 STP30NF10 PSMN5R6-100PS,127 FQP33N10
描述 STMICROELECTRONICS STP30NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 100 V, 45 mohm, 10 V, 3 VTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3Pin(3+Tab) TO-220AB RailFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP33N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 100 V, 52 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 1 1 1
漏源极电阻 0.045 Ω 0.0056 Ω 0.052 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 115 W 306 W 127 W
阈值电压 3 V 3 V 4 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
上升时间 40 ns 46 ns 195 ns
输入电容(Ciss) 1180pF @25V(Vds) 8061pF @50V(Vds) 1500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 115 W 306 W 127 W
下降时间 10 ns 34 ns 110 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
耗散功率(Max) 115W (Tc) 306W (Tc) 127 W
额定电压(DC) 100 V - 100 V
额定电流 35.0 A - 33.0 A
针脚数 3 - 3
漏源击穿电压 100 V - 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±25.0 V
连续漏极电流(Ids) 35.0 A - 33.0 A
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
额定功率 115 W - -
宽度 4.6 mm 4.7 mm 4.83 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.4 mm - 10.67 mm
高度 9.15 mm - 9.4 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
ECCN代码 EAR99 - EAR99
香港进出口证 - - NLR