对比图
型号 SPB80N06S2-H5 STL85N6F3 IPB054N06N3GATMA1
描述 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-TransistorN沟道60 V ， 0.0057 Ω ， 19的PowerFLAT ？ 5×6的STripFET ？功率MOSFET N-channel 60 V, 0.0057 Ω, 19 A PowerFLAT? 5x6 STripFET? Power MOSFETInfineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB054N06N3GATMA1, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 8 3
封装 TO-263-3 PowerVDFN-8 TO-263-3
额定功率 - - 115 W
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 300W (Tc) 80W (Tc) 115 W
输入电容 550 pF - 5000 pF
漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 19A 80A
上升时间 - 14.3 ns 68 ns
输入电容(Ciss) 5500pF @25V(Vds) 3400pF @25V(Vds) 5000pF @30V(Vds)
下降时间 - 7.1 ns 9 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 80W (Tc) 115 W
额定电压(DC) 55.0 V - -
额定电流 80.0 A - -
栅电荷 155 nC - -
额定功率(Max) 300 W 4 W -
长度 - - 10.31 mm
宽度 - - 11.05 mm
高度 - - 4.57 mm
封装 TO-263-3 PowerVDFN-8 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free