对比图
型号 APT35GP120BG HGTG12N60A4D STGP8NC60KD
描述 功率MOS 7® IGBT POWER MOS 7® IGBTHGTG12N60A4D系列 600 V 54 A 法兰安装 SMPS N沟道 IGBT-TO-247STGP8NC60K 系列 N 沟道 600V 8 A 额定短路电流 PowerMESH IGBT - TO-220
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3
针脚数 - 3 3
耗散功率 543000 mW 167 W 65 W
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 600 V 600 V
反向恢复时间 - 30 ns 23.5 ns
额定功率(Max) 543 W 167 W 65 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 543000 mW 167000 mW 65000 mW
额定电压(DC) 1.20 kV - -
额定电流 96.0 A - -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not For New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99