对比图
型号 IXFH80N20Q STW90NF20 MTW32N20EG
描述 TO-247AD N-CH 200V 80AN沟道200 V， 0.019 Ω ， 83 A， TO- 247低栅极电荷的STripFET ™功率MOSFET N-channel 200 V, 0.019 Ω, 83 A, TO-247 low gate charge STripFET™ Power MOSFET功率MOSFET 32安培， 200伏特N沟道TO- 247 Power MOSFET 32 Amps, 200 Volts N-Channel TO-247
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 200 V - 200 V
额定电流 80.0 A - 32.0 A
通道数 - 1 1
漏源极电阻 28.0 mΩ 23 mΩ 0.075 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 360 W 300 W 180 W
阈值电压 - - 4 V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 - 200 V 200 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 83A 32.0 A
上升时间 50 ns 138 ns 120 ns
输入电容(Ciss) 4600pF @25V(Vds) 5736pF @25V(Vds) 5000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 360 W 300 W 180 W
下降时间 20 ns 142 ns 91 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 360W (Tc) 300W (Tc) 180W (Tc)
宽度 - 5.15 mm 5.3 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
长度 - 15.75 mm -
高度 - 20.15 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -50℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99