SPB20N60S5和SPW16N50C3FKSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPB20N60S5 SPW16N50C3FKSA1 PHB108NQ03LT,118

描述 INFINEON  SPB20N60S5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.16 ohm, 10 V, 4.5 VInfineon CoolMOS C3 系列 N沟道 MOSFET SPW16N50C3FKSA1, 16 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-247封装Trans MOSFET N-CH 25V 75A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-252-3 TO-247-3 TO-263-3

额定电压(DC) 600 V 560 V -

额定电流 20.0 A 16.0 A -

通道数 1 - -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.16 Ω 0.25 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 208 W 160 W 187 W

阈值电压 4.5 V 3 V -

输入电容 3.00 nF - -

栅电荷 103 nC - -

漏源极电压(Vds) 600 V 560 V 25 V

连续漏极电流(Ids) 20.0 A 16.0 A -

上升时间 25 ns 8 ns 38 ns

输入电容(Ciss) 3000pF @25V(Vds) 1600pF @25V(Vds) 1375pF @12V(Vds)

额定功率(Max) 208 W - -

下降时间 30 ns 8 ns 25 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 160 W 187W (Tc)

长度 10 mm 16.13 mm 10.3 mm

宽度 9.25 mm 5.21 mm 9.4 mm

高度 4.4 mm 21.1 mm 4.5 mm

封装 TO-252-3 TO-247-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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