BCW32LT1G和BCW60C

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCW32LT1G BCW60C BCW33

描述 ON SEMICONDUCTOR  BCW32LT1G  单晶体管 双极, NPN, 32 V, 225 mW, 100 mA, 200 hFENPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORNPN通用放大器 NPN General Purpose Amplifier

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 - 125 MHz 200 MHz

额定电压(DC) 32.0 V 32.0 V 32.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 500 mA

极性 NPN - NPN

耗散功率 225 mW 0.35 W 0.35 W

击穿电压(集电极-发射极) 32 V 32 V 32 V

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 250 420 @2mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 460 800

额定功率(Max) 225 mW 350 mW 350 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -50 ℃ - 55 ℃

针脚数 3 - -

集电极最大允许电流 0.1A - -

直流电流增益(hFE) 200 - -

耗散功率(Max) 225 mW - -

长度 3.04 mm 2.92 mm 2.92 mm

宽度 1.4 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 1.11 mm 0.93 mm 0.93 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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