IRLR8743TRPBF和STD17NF03LT4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLR8743TRPBF STD17NF03LT4 STD100N3LF3

描述 N沟道,30V,160A,3.9mΩ@4.5VN 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsN沟道30 V , 0.0045 Ω , 80 A, DPAK平面的STripFET ?二功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0045 Ω, 80 A, DPAK planar STripFET? II Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 17.0 A -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.05 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 135 W 30 W 110 W

阈值电压 - 1.5 V -

输入电容 - 320 pF -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30.0 V -

栅源击穿电压 - ±16.0 V -

连续漏极电流(Ids) 160 A 17.0 A 80A

上升时间 - 100 ns 205 ns

输入电容(Ciss) 4880pF @15V(Vds) 320pF @25V(Vds) 2060pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 135 W 30 W 110 W

下降时间 - 22 ns 35 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 30W (Tc) 110W (Tc)

通道数 - - 1

产品系列 IRLR8743 - -

长度 - 6.6 mm -

宽度 - 6.2 mm 6.2 mm

高度 - 2.4 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台