对比图
型号 FDC637BNZ FDC655BN SI3460BDV-T1-GE3
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC637BNZ 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 20 V, 0.021 ohm, 4.5 V, 800 mVFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC655BN 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 VTSOP-6 N-CH 20V 6.7A 27mΩ
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 TSOP-6
额定电压(DC) - 30.0 V -
额定电流 - 6.30 A -
针脚数 6 6 -
漏源极电阻 0.021 Ω 0.021 Ω 27 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 1.6 W 1.6 W 2 W
阈值电压 800 mV 1.9 V -
输入电容 - 570 pF -
栅电荷 - 10.0 nC -
漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 20 V
漏源击穿电压 - 30.0 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 6.2A 6.30 A 6.7A
上升时间 6 ns 4 ns -
输入电容(Ciss) 895pF @10V(Vds) 570pF @15V(Vds) 860pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 800 mW 800 mW -
下降时间 6 ns 3 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.6W (Ta) 1.6 W 2000 mW
长度 3 mm 3 mm -
宽度 1.7 mm 1.7 mm -
高度 1 mm 1 mm -
封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 TSOP-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Active -
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - - 3000
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -
ECCN代码 - EAR99 -