FDS6673AZ和FDS6673BZ

对比图

型号 FDS6673AZ FDS6673BZ FDS6673BZ_F085

描述 30伏P沟道PowerTrench MOSFET 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6673BZ  晶体管, MOSFET, P沟道, -14.5 A, -30 V, 0.0065 ohm, -10 V, -1.9 VTrans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8Pin SOIC N T/R

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 6.00 mΩ 0.0065 Ω -

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 2.5W (Ta) 2.5 W 2.5 W

阈值电压 - 1.9 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

栅源击穿电压 ±25.0 V ±25.0 V -

连续漏极电流(Ids) 14.5 A 14.5 mA 14.5A

上升时间 8.00 ns 16 ns -

输入电容(Ciss) 4480pF @15V(Vds) 4700pF @15V(Vds) 4700pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 1 W -

下降时间 - 105 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

通道数 - - 1

额定电压(DC) -30.0 V - -

额定电流 -14.5 A - -

输入电容 4.48 nF - -

栅电荷 84.0 nC - -

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 -