BD809和BD809G

对比图

型号 BD809 BD809G

描述 塑料大功率硅晶体管 Plastic High Power Silicon TransistorON SEMICONDUCTOR  BD809G.  双极性晶体管, NPN, 80V TO-220

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220 TO-220-3

频率 - 1.5 MHz

额定电压(DC) - 80.0 V

额定电流 - 10.0 A

针脚数 - 3

极性 NPN NPN

耗散功率 90.0 W 90 W

增益频宽积 - 1.5 MHz

集电极击穿电压 80.0 V 80.0 V

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V

集电极最大允许电流 10A 10A

最小电流放大倍数(hFE) 30 15 @4A, 2V

额定功率(Max) - 90 W

直流电流增益(hFE) - 30

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 90000 mW

长度 - 10.28 mm

宽度 - 4.83 mm

高度 - 15.75 mm

封装 TO-220 TO-220-3

材质 - Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tube Tube

最小包装 50 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99