对比图
型号 STD100NH02LT4 SUD50N02-06P-E3 STD150NH02LT4
描述 N沟道24V - 0.0042 ？ - 60A - DPAK - IPAK的STripFET ？二功率MOSFET N-channel 24V - 0.0042з - 60A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II Power MOSFETTrans MOSFET N-CH 20V 26A 3Pin(2+Tab) DPAKN沟道24V- 0.003Ω - 150A - ClipPAK ™ - IPAK的STripFET ™伊犁功率MOSFET N-channel 24V- 0.003Ω - 150A - ClipPAK™ - IPAK STripFET™ IlI Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Siliconix ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 24.0 V - 24.0 V
额定电流 60.0 A - 150 A
漏源极电阻 5.00 mΩ - 0.0035 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 100 W 6.8W (Ta), 65W (Tc) 125 W
漏源极电压(Vds) 24 V 20 V 24 V
漏源击穿电压 24.0 V - 24.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 60.0 A - 150 A
上升时间 200 ns - 224 ns
输入电容(Ciss) 3940pF @15V(Vds) 2550pF @10V(Vds) 4450pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 100 W - 125 W
下降时间 35 ns - 40 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 100W (Tc) 6.8W (Ta), 65W (Tc) 125W (Tc)
阈值电压 - - 1.8 V
输入电容 - - 4.45 nF
栅电荷 - - 69.0 nC
长度 6.6 mm - 6.5 mm
宽度 6.2 mm - 6.2 mm
高度 2.4 mm - 2.17 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Obsolete
包装方式 Cut Tape (CT) - Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17