IRF7469TRPBF和STS11N3LLH5

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7469TRPBF STS11N3LLH5 STS7NF60L

描述 Trans MOSFET N-CH 40V 9A 8Pin SOIC T/RSTMICROELECTRONICS  STS11N3LLH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 0.0117 ohm, 10 V, 1 VSTMICROELECTRONICS  STS7NF60L  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 60 V, 0.017 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 40.0 V - 60.0 V

额定电流 9.00 A - 7.50 A

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.7 W 2.5 W

产品系列 IRF7469 - -

漏源极电压(Vds) 40 V 30 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 9.00 A - 7.50 A

上升时间 2.20 ns - 27 ns

输入电容(Ciss) 2000pF @20V(Vds) 724pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.7 W 2.5 W

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.0117 Ω 0.017 Ω

阈值电压 - 1 V 1 V

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) - 2.7W (Tc) 2.5W (Tc)

输入电容 - - 1.70 nF

栅电荷 - - 25.0 nC

漏源击穿电压 - - 60.0 V

栅源击穿电压 - - ±16.0 V

下降时间 - - 20 ns

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

高度 - - 1.65 mm

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

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