对比图
型号 BS107ARL1G BS108ZL1G BS108G
描述 ON SEMICONDUCTOR BS107ARL1G 场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 250mA TO-92小信号N沟道TO-92-3封装场效应管小信号MOSFET 250毫安， 200伏特，逻辑电平 Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3
额定电压(DC) 200 V 200 V 200 V
额定电流 250 mA 250 mA 250 mA
针脚数 3 - -
漏源极电阻 4.5 Ω 8.00 Ω 8 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 350 mW 350 mW 350 mW
阈值电压 3 V - 1.5 V
输入电容 60pF @25V - 150 pF
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 250 mA 250 mA 250 mA
输入电容(Ciss) 60pF @25V(Vds) 150pF @25V(Vds) 150pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 350 mW 350 mW 350 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 350mW (Ta) 350mW (Ta) 350mW (Ta)
额定功率 - - 800 mW
通道数 - - 1
长度 4.45 mm 5.2 mm 5.2 mm
高度 4.32 mm 5.33 mm 5.33 mm
封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3
宽度 - 4.19 mm 4.19 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Box (TB) Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2014/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99