DS1258W-100IND#和DS1258Y-100

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1258W-100IND# DS1258Y-100 DS1258AB-70

描述 IC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIPIC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIPIC NVSRAM 2Mbit 70NS 40EDIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DIP-40 DIP-40 DIP-40

引脚数 - 40 40

电源电压 3V ~ 3.6V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V

电源电压(DC) - 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.25 V (max)

时钟频率 - 100 GHz 70.0 GHz

存取时间 - 100 ns 70 ns

内存容量 - 2000000 B 2000000 B

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

封装 DIP-40 DIP-40 DIP-40

长度 - - 53.72 mm

宽度 - - 18.29 mm

高度 - - 8.13 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 PB free Contains Lead

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