对比图
型号 CSD17553Q5A FDMS7660 FDBL86210-F085
描述 N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD17553Q5AMOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDBL86210_F085, 169 A, Vds=150 V, 8引脚 PSOF封装
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 VSON-FET-8 Power-56-8 H-PSOF
漏源极电阻 4 mΩ 0.0019 Ω -
极性 N-CH N-Channel -
耗散功率 3.1 W 2.5 W -
阈值电压 1.5 V 1.9 V -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -
连续漏极电流(Ids) 23.5A 25A -
上升时间 17 ns 9 ns 30 ns
输入电容(Ciss) 3252pF @15V(Vds) 5565pF @15V(Vds) 5805pF @75V(Vds)
额定功率(Max) 3.1 W 2.5 W -
下降时间 5.2 ns 7 ns 23 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.1W (Ta) 2.5W (Ta), 78W (Tc) 500 W
通道数 1 - -
漏源击穿电压 30 V - -
长度 5.8 mm 5 mm 10.48 mm
宽度 5 mm 6 mm 9.9 mm
高度 1.1 mm 1.05 mm 2.4 mm
封装 VSON-FET-8 Power-56-8 H-PSOF
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 正在供货 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -