IDD03SG60C和IDD03SG60CXTMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDD03SG60C IDD03SG60CXTMA1

描述 INFINEON  IDD03SG60C  二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 3G 600V系列, 单, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252INFINEON  IDD03SG60CXTMA1  二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 3G 600V系列, 单, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 肖特基二极管肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 38 W -

负载电流 3 A -

正向电压 2.3V @3A 2.3 V

耗散功率 38 W 38 W

反向恢复时间 0 ns -

正向电流 3 A 3 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 11.5 A 11.5 A

正向电压(Max) 2.3 V 2.3 V

正向电流(Max) 3 A 3 A

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

工作结温(Max) 175 ℃ 175 ℃

耗散功率(Max) 38000 mW 38000 mW

长度 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.41 mm 2.41 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台