对比图
型号 RFP15P05 RFP50N06 RFP30N06LE
描述 MOSFET P-CH 50V 15A TO-220ABON Semiconductor MegaFET 系列 Si N沟道 MOSFET RFP50N06, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装30A ， 60V ， ESD额定， 0.047欧姆，逻辑电平N沟道功率MOSFET 30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) -50.0 V - 60.0 V
额定电流 -15.0 A - 30.0 A
耗散功率 80W (Tc) 131 W 96 W
漏源极电压(Vds) 50 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 15.0 A - 30.0 A
输入电容(Ciss) 1150pF @25V(Vds) 2020pF @25V(Vds) 1350pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 80W (Tc) 131 W 96W (Tc)
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.022 Ω 47.0 mΩ
阈值电压 - 4 V -
上升时间 - 55 ns 88 ns
额定功率(Max) - 131 W -
下降时间 - 13 ns 40 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
极性 - - N-Channel
漏源击穿电压 - - 60.0 V
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.67 mm 10.67 mm
宽度 - 4.83 mm 4.7 mm
高度 - 9.4 mm 16.3 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99