IRFR1018EPBF和STD70N6F3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR1018EPBF STD70N6F3 STD60N55F3

描述 Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3Pin(2+Tab) DPAK TubeSTD70N6F3 系列 60 V 10.5 mOhm N 沟道 STripFET™ III 功率 MOSFET - TO-252N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

极性 N-Channel - N-CH

耗散功率 110 W 110 W 110 W

输入电容 - - 2200 pF

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 79.0 A - 80A

上升时间 - - 50 ns

输入电容(Ciss) 2290pF @50V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 110 W 110 W 110 W

下降时间 - - 11.5 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 110W (Tc) 110W (Tc)

漏源极电阻 7.1 mΩ - -

产品系列 IRFR1018E - -

阈值电压 4 V - -

长度 - - 6.6 mm

宽度 - - 6.2 mm

高度 - - 2.4 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -

ECCN代码 - - EAR99

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