对比图
型号 SIHD7N60E-GE3 SPD07N60C3 SPD07N60C3ATMA1
描述 VISHAY SIHD7N60E-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能INFINEON SPD07N60C3ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 中高压MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.5 Ω 0.54 Ω 0.54 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 78 W 83 W 83 W
阈值电压 2 V 3 V 3 V
输入电容 - - 790 pF
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V
漏源击穿电压 - 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) - 7.30 A 7.3A
上升时间 - 3.5 ns 3.5 ns
输入电容(Ciss) - 790pF @25V(Vds) 790pF @25V(Vds)
下降时间 - 7 ns 7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 83 W 83000 mW
额定电压(DC) - 650 V -
额定电流 - 7.30 A -
额定功率 - 83 W -
通道数 - 1 -
长度 - 6.5 mm 6.5 mm
宽度 - 6.22 mm 6.22 mm
高度 - 2.3 mm 2.3 mm
封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3
产品生命周期 - Not Recommended Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 - No SVHC -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -
ECCN代码 - EAR99 -