NTMD4N03R2G和PHN210T,118

对比图

型号 NTMD4N03R2G PHN210T,118 STS4DNF30L

描述 N 通道 MOSFET，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorNXP  PHN210T,118  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.2 A, 30 V, 0.08 ohm, 10 V, 2 V双N沟道30V - 0.039ohm - 4A SO- 8的STripFET TM功率MOSFET Dual N-channel 30V - 0.039ohm - 4A SO-8 STripFET TM Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 4.00 A - 4.00 A

漏源极电阻 0.048 Ω 0.08 Ω 50.0 mΩ

极性 N-Channel Dual N-Channel N-Channel

耗散功率 2 W 2 W 2.00 W

输入电容 - - 330 pF

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V - 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±16.0 V

连续漏极电流(Ids) 4.00 A, 4.00 mA 2.40 A 4.00 A

上升时间 14 ns 8 ns 100 ns

输入电容(Ciss) 400pF @20V(Vds) 250pF @20V(Vds) 330pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

下降时间 10 ns 15 ns 22 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2 W 2 W 2000 mW

针脚数 8 8 -

阈值电压 1.9 V 2 V -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm 5 mm -

宽度 4 mm 4 mm -

高度 1.5 mm 1.45 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 - -