对比图
型号 IRF7855PBF SI4850EY-T1-GE3 SI4850EY-T1-E3
描述 N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。N 通道 MOSFET，60V 至 90V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorVISHAY SI4850EY-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 60 V, 0.018 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8
额定功率 2.5 W - -
通道数 1 - -
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.0094 Ω 0.018 Ω 0.018 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 97 mW 3.3 W 1.7 W
产品系列 IRF7855 - -
阈值电压 4.9 V 3 V 1 V
输入电容 1560pF @25V - -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60 V - 60 V
连续漏极电流(Ids) 12.0 A 6.00 A 8.50 A
上升时间 13 ns 10 ns -
输入电容(Ciss) 1560pF @25V(Vds) - -
下降时间 12 ns 12 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2500 mW 3.3 W 1.7 W
额定电压(DC) - - 60.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
长度 5 mm 5 mm 5 mm
宽度 4 mm 4 mm 4 mm
高度 1.5 mm 1.5 mm 1.55 mm
封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active - -
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99