CSD16327Q3和CSD16406Q3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD16327Q3 CSD16406Q3 CSD16323Q3

描述 TEXAS INSTRUMENTS  CSD16327Q3  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 25 V, 0.0034 ohm, 8 V, 1.2 VN 通道 NexFET™ 功率 MOSFETN 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PowerTDFN-8 VSON-Clip-8 VSON-Clip-8

通道数 - 1 -

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.0034 Ω 0.0042 Ω 0.0044 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3 W 2.7 W 3 W

阈值电压 1.2 V 1.7 V 1.1 V

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V 25 V

连续漏极电流(Ids) 21A 60.0 A 60.0 A

上升时间 15 ns 12.9 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 1300pF @12.5V(Vds) 1100pF @12.5V(Vds) 1300pF @12.5V(Vds)

额定功率(Max) 3 W 2.7 W 3 W

下降时间 6.3 ns 4.8 ns 6.3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3W (Ta) 2.7W (Ta) 3W (Ta)

输入电容 - - 1.3 nF

长度 3.4 mm 3.4 mm 3.4 mm

宽度 3.4 mm 3.3 mm 3.4 mm

高度 1.1 mm 1.1 mm 1.1 mm

封装 PowerTDFN-8 VSON-Clip-8 VSON-Clip-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active 正在供货 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15

REACH SVHC标准 - - No SVHC

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