对比图
型号 STB150NF04 FDB8441_F085 IPB80N04S2L03ATMA1
描述 N沟道40 V - 0.005 Ω - 80 A - D2PAK的STripFET ™II功率MOSFET N-channel 40 V - 0.005 Ω - 80 A - D2PAK STripFET™II Power MOSFETPowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。D2PAK N-CH 40V 80A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - - 3
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3
通道数 1 1 1
极性 - N-CH N-CH
耗散功率 300 W 300 W 300W (Tc)
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) - 80A 80A
上升时间 150 ns 24 ns 50 ns
输入电容(Ciss) 3650pF @25V(Vds) 15000pF @25V(Vds) 6000pF @25V(Vds)
下降时间 45 ns 17.9 ns 27 ns
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -
漏源极电阻 7 mΩ - -
漏源击穿电压 40 V - -
长度 10.4 mm 10.67 mm 10 mm
宽度 9.35 mm 9.65 mm 9.25 mm
高度 4.6 mm 4.83 mm 4.4 mm
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 -