对比图
型号 STB24NM60N STW24NM60N STB21NM60ND
描述 STMICROELECTRONICS STB24NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.168 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STW24NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.168 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STB21NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-263-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.168 Ω 0.168 Ω 0.17 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 125 W 125 W 140 W
阈值电压 3 V 3 V 4 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
上升时间 16.5 ns 16.5 ns 16 ns
输入电容(Ciss) 1400pF @50V(Vds) 1400pF @50V(Vds) 1800pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 125 W 125 W 140 W
下降时间 37 ns 37 ns 48 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 125W (Tc) 125W (Tc) 140W (Tc)
长度 10.75 mm 15.75 mm 10.75 mm
宽度 10.4 mm 5.15 mm 10.4 mm
高度 4.6 mm 20.15 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99