对比图
型号 IRF7401PBF SI4426DY-T1-E3 STS6NF20V
描述 N沟道 20V 8.7ASOIC-8 N-CH 20V 6.5A 25mΩSTMICROELECTRONICS STS6NF20V 晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 20 V, 45 mohm, 2.7 V, 600 mV
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 20.0 V - -
额定电流 8.70 A - -
漏源极电阻 0.03 Ω 25.0 mΩ 0.045 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W
产品系列 IRF7401 - -
阈值电压 0.7 V - 600 mV
输入电容 1600pF @15V - -
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
漏源击穿电压 20.0 V 20.0 V 20.0 V
连续漏极电流(Ids) 8.70 A -8.50 A to 8.50 A 6.00 A
上升时间 72 ns 40 ns 33 ns
输入电容(Ciss) 1600pF @15V(Vds) - 460pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 1.5 W 2.5 W
下降时间 92 ns 40 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2500 mW 2500 mW 2500 mW
栅源击穿电压 - ±12.0 V ±12.0 V
针脚数 - - 8
长度 5 mm - 5 mm
高度 1.5 mm - 1.25 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
宽度 - - 4 mm
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - 2500 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17