FDG6332C和FDG6332C_F085

对比图

型号 FDG6332C FDG6332C_F085 AO7600

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG6332C  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 700 mA, 20 V, 0.18 ohm, 4.5 V, 1.1 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG6332C_F085  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 700 mA, 20 V, 0.18 ohm, 4.5 V, 1.1 V20V/0.9A,-20V/-0.6A,N/P沟道互补MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6

额定功率 - - 0.19 W

极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel N+P

耗散功率 300 mW 300 mW 0.3 W

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 700 mA 0.7A/0.6A 0.9A/0.6A

输入电容(Ciss) 113pF @10V(Vds) 113pF @10V(Vds) 120pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 300 mW 300 mW 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 0.3 W 0.3 W 300 mW

针脚数 6 6 -

漏源极电阻 0.18 Ω 0.18 Ω -

阈值电压 1.1 V 1.1 V -

额定电流 700 mA - -

输入电容 114 pF - -

栅电荷 1.40 nC - -

漏源击穿电压 ±20.0 V - -

栅源击穿电压 ±12.0 V - -

上升时间 14.0 ns - -

封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6

长度 2 mm 2 mm -

宽度 1.25 mm 1.25 mm -

高度 1 mm 1 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 - -