STW6N120K3和STW6N95K5

对比图

型号 STW6N120K3 STW6N95K5 APT7F120B

描述 STMICROELECTRONICS  STW6N120K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1.2 kV, 1.95 ohm, 10 V, 4 V950V,1Ω,9A,N沟道功率MOSFETN沟道FREDFET 1200V ， 7A ， 2.4Ω最大， TRR ≤190ns N-Channel FREDFET 1200V, 7A, 2.4Ω Max, trr ≤190ns

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) - - 1.20 kV

额定电流 - - 6.60 A

耗散功率 150 W 90 W 335 W

漏源极电压(Vds) 1200 V 950 V 1200 V

连续漏极电流(Ids) 6A - 6.60 A

上升时间 - 12 ns 8 ns

输入电容(Ciss) 1050pF @100V(Vds) 450pF @100V(Vds) 2565pF @25V(Vds)

下降时间 - 21 ns 13 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 150W (Tc) 90W (Tc) 335W (Tc)

针脚数 3 - -

漏源极电阻 1.95 Ω - -

极性 N-Channel - -

阈值电压 4 V - -

额定功率(Max) 150 W 90 W -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 15.75 mm - -

宽度 5.15 mm - -

高度 20.15 mm - -

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -