DDTD114GC-7和DDTD114GC-7-F

对比图

型号 DDTD114GC-7 DDTD114GC-7-F DDTD114GC-13

描述 Transistors (BJT) - Single, Pre-Biased双极晶体管 - 预偏置 200MW 10KSmall Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

引脚数 - 3 -

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 50 V -

集电极最大允许电流 500mA 500mA -

耗散功率 - 0.2 W -

最小电流放大倍数(hFE) - 56 @50mA, 5V -

额定功率(Max) - 200 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

增益带宽 - 200 MHz -

耗散功率(Max) - 200 mW -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

长度 - 3.05 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1 mm -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 - EAR99 -