对比图
描述 NPN大功率三极管 NPN High−Power Transistor其他芯片高？功率晶体管 Complementary Silicon High?Power TransistorsON SEMICONDUCTOR TIP35CG. 射频双极晶体管
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 SOT-93-3 TO-218-3 TO-247-3
频率 - - 3 MHz
额定电压(DC) - 100 V 100 V
额定电流 - 25.0 A 25.0 A
针脚数 - - 3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 125 W 125 W 125 W
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V
热阻 - - 1℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流 25A 25A 25A
最小电流放大倍数(hFE) 25 15 @15A, 4V 15 @15A, 4V
额定功率(Max) - 125 W 125 W
直流电流增益(hFE) - - 15
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - - 125000 mW
最大电流放大倍数(hFE) - 75 -
长度 15.2 mm 15.2 mm 15.2 mm
宽度 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm
封装 SOT-93-3 TO-218-3 TO-247-3
材质 - - Silicon
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tube Tube Tube
最小包装 - 30 -
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99