对比图
描述 ON SEMICONDUCTOR BD159G Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 350 V, 20 W, 500 mA, 30 hFE 新对于T.V无线音频输出放大器 For T.V Radio Audio Output Amplifiers塑料中功率NPN硅晶体管 Plastic Medium Power NPN Silicon Transistor
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3
引脚数 3 - -
额定电压(DC) 350 V 350 V 350 V
额定电流 500 mA 500 mA 500 mA
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 20 W 20 W 20 W
击穿电压(集电极-发射极) 350 V 350 V 350 V
集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A
最小电流放大倍数(hFE) 30 @50mA, 10V 30 @50mA, 10V 30
额定功率(Max) 20 W 20 W 20 W
耗散功率(Max) 20000 mW 20 W -
针脚数 3 - -
直流电流增益(hFE) 30 - -
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃
最大电流放大倍数(hFE) - - 240
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3
长度 - - 7.74 mm
宽度 - - 2.66 mm
高度 - - 11.04 mm
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Bulk Tube Bulk
最小包装 - - 500
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
材质 Silicon - -
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) - -65℃ ~ 150℃ (TJ)