IRF7413TRPBF和STS11N3LLH5

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7413TRPBF STS11N3LLH5 STS11NF30L

描述 IRF7413TRPBF 编带STMICROELECTRONICS  STS11N3LLH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 0.0117 ohm, 10 V, 1 VN 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 13.0 A - 11.0 A

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.7 W 2.5 W

产品系列 IRF7413 - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 13.0 A - 11.0 A

上升时间 8.00 ns - 39 ns

输入电容(Ciss) 1800pF @25V(Vds) 724pF @25V(Vds) 1440pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.7 W 2.5 W

额定功率 - - 2.5 W

漏源极电阻 - 0.0117 Ω 0.0085 Ω

阈值电压 - 1 V 1 V

漏源击穿电压 - - 30.0 V

栅源击穿电压 - - ±18.0 V

下降时间 - - 16 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - 2.7W (Tc) 2500 mW

针脚数 - 8 -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.25 mm

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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