ULN2803A和ULN2803LWTR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ULN2803A ULN2803LWTR ULN2803AN

描述 STMICROELECTRONICS  ULN2803A  双极晶体管阵列, 达林顿晶体管, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIPSOIC NPN 50V 0.5ATEXAS INSTRUMENTS  ULN2803AN  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, DIP

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Allegro MicroSystems (急速微电子) TI (德州仪器)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 18 - 18

封装 DIP-18 SOIC DIP-18

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 500 mA - 500 mA

输出电压 50 V - -

输出电流 500 mA - -

通道数 8 - -

针脚数 18 - 18

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 2.25 W - -

输入电容 15.0 pF - -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @350mA, 2V - -

额定功率(Max) 2.25 W - -

直流电流增益(hFE) 1000 - -

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -20 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 2250 mW - -

电源电压 5 V - -

输入电压 30 V - -

驱动器/包 - - 8

集电极最大允许电流 - 0.5A 0.5A

输入电压(Max) - - 5 V

输出电压(Max) - - 50 V

输出电流(Max) - - 500 mA

长度 23.24 mm - 22.48 mm

宽度 7.1 mm - 6.35 mm

高度 3.93 mm - 4.57 mm

封装 DIP-18 SOIC DIP-18

工作温度 -20℃ ~ 150℃ (TJ) - -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/12/17

ECCN代码 EAR99 - -

香港进出口证 NLR - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台