对比图
型号 ULN2803A ULN2803LWTR ULN2803AN
描述 STMICROELECTRONICS ULN2803A 双极晶体管阵列, 达林顿晶体管, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIPSOIC NPN 50V 0.5ATEXAS INSTRUMENTS ULN2803AN 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, DIP
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Allegro MicroSystems (急速微电子) TI (德州仪器)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 18 - 18
封装 DIP-18 SOIC DIP-18
额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V
额定电流 500 mA - 500 mA
输出电压 50 V - -
输出电流 500 mA - -
通道数 8 - -
针脚数 18 - 18
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 2.25 W - -
输入电容 15.0 pF - -
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
最小电流放大倍数(hFE) 1000 @350mA, 2V - -
额定功率(Max) 2.25 W - -
直流电流增益(hFE) 1000 - -
工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃
工作温度(Min) -20 ℃ - -65 ℃
耗散功率(Max) 2250 mW - -
电源电压 5 V - -
输入电压 30 V - -
驱动器/包 - - 8
集电极最大允许电流 - 0.5A 0.5A
输入电压(Max) - - 5 V
输出电压(Max) - - 50 V
输出电流(Max) - - 500 mA
长度 23.24 mm - 22.48 mm
宽度 7.1 mm - 6.35 mm
高度 3.93 mm - 4.57 mm
封装 DIP-18 SOIC DIP-18
工作温度 -20℃ ~ 150℃ (TJ) - -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2014/12/17
ECCN代码 EAR99 - -
香港进出口证 NLR - -