对比图
型号 IRF2807ZPBF STP75NF75 STP78N75F4
描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDS(ON) 7.5Milliohms; ID 89A; TO-220AB; PD 170W; -55degN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道 75V 78A
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 75.0 V 75.0 V -
额定电流 75.0 A 80.0 A -
漏源极电阻 9.4 mΩ 0.0095 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 170 W 300 W 150 W
产品系列 IRF2807Z - -
阈值电压 4 V 3 V 4 V
输入电容 3270pF @25V - -
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V
漏源击穿电压 75 V 75.0 V -
连续漏极电流(Ids) 75.0 A 80.0 A 78A
上升时间 79.0 ns 25.0 ns 33 ns
输入电容(Ciss) 3270pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds) 5015pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 170 W 300 W 150 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
通道数 - 1 1
下降时间 - - 14 ns
耗散功率(Max) - 300W (Tc) 150W (Tc)
针脚数 - 3 -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
工作结温(Max) - 175 ℃ -
长度 10.67 mm 10.4 mm -
高度 9.02 mm 9.15 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
宽度 - 4.6 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2014/12/17 2014/06/16 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99