STI26NM60N和STP25NM60ND

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STI26NM60N STP25NM60ND IPW60R165CP

描述 N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsN 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsInfineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-247-3

额定电压(DC) - - 600 V

额定电流 - - 21.0 A

通道数 - - 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.13 Ω 0.15 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 140W (Tc) 160 W 192 W

阈值电压 - 4 V 3 V

输入电容 - - 2.00 nF

栅电荷 - - 52.0 nC

漏源极电压(Vds) - 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) - - 21.0 A

输入电容(Ciss) 1800pF @50V(Vds) 2400pF @50V(Vds) 2000pF @100V(Vds)

额定功率(Max) - 160 W 192 W

下降时间 - 40 ns 5 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) 140W (Tc) 160W (Tc) 192W (Tc)

上升时间 - 30 ns -

长度 10.4 mm 10.4 mm 16.13 mm

宽度 4.6 mm 4.6 mm 5.21 mm

高度 10.75 mm 15.75 mm 21.1 mm

封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-247-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

香港进出口证 - NLR NLR

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