STI26NM60N参数规格_中文资料_数据手册PDF

STI26NM60N概述

N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics

### MOSFET ，STMicroelectronics

得捷:
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK

立创商城:
N沟道 600V 20A

欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 STI26NM60N, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 I2PAK封装

STI26NM60N中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 140W Tc

输入电容Ciss 1800pF @50VVds

耗散功率Max 140W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 10.75 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STI26NM60N

型号： STI26NM60N

描述：N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

替代型号STI26NM60N

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
STI26NM60N ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
STB25NM60N-1 意法半导体	类似代替	STI26NM60N和STB25NM60N-1的区别
IPW60R165CP 英飞凌	功能相似	STI26NM60N和IPW60R165CP的区别
STP25NM60ND 意法半导体	功能相似	STI26NM60N和STP25NM60ND的区别