对比图
型号 STD6NM60N-1 STU27N3LH5 STU10NM60N
描述 N沟道600V - 0.85ヘ - 4.6A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.85ヘ - 4.6A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh⑩ Power MOSFETIPAK N-CH 30V 27AN 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3
引脚数 - - 3
耗散功率 45W (Tc) 30W (Tc) 70 W
漏源极电压(Vds) 600 V 30 V 600 V
输入电容(Ciss) 420pF @50V(Vds) 475pF @25V(Vds) 540pF @50V(Vds)
耗散功率(Max) 45W (Tc) 30W (Tc) 70W (Tc)
漏源极电阻 - - 0.53 Ω
极性 - N-CH N-Channel
阈值电压 - - 3 V
连续漏极电流(Ids) - 27A 10A
上升时间 - - 12 ns
额定功率(Max) - - 70 W
下降时间 - - 15 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3
长度 - - 6.6 mm
宽度 - - 2.4 mm
高度 - - 6.9 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17