STD6NM60N-1参数规格_中文资料_数据手册PDF

STD6NM60N-1概述

N沟道600V - 0.85ヘ - 4.6A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.85ヘ - 4.6A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

N-Channel 600V 4.6A Tc 45W Tc Through Hole I-PAK

得捷:
MOSFET N-CH 600V 4.6A IPAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin3+Tab IPAK Tube

Win Source:
N-channel 600V - 0.85Ω - 4.6A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh Power MOSFET

STD6NM60N-1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 45W Tc

漏源极电压Vds 600 V

输入电容Ciss 420pF @50VVds

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STD6NM60N-1

型号： STD6NM60N-1

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道600V - 0.85ヘ - 4.6A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.85ヘ - 4.6A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

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