对比图
描述 NXP BSH111BK 小信号场效应管, MOSFET 新NXP BSH111,215. 场效应管, MOSFET, N沟道
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 SOT-23 SOT-23-3
针脚数 3 3
漏源极电阻 2.3 Ω 2.3 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 302 mW 830 mW
阈值电压 1 V 1 V
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 0.21A 335 mA
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
通道数 - 1
输入电容(Ciss) - 40pF @10V(Vds)
额定功率(Max) - 830 mW
工作温度(Min) - -65 ℃
耗散功率(Max) - 830 mW
封装 SOT-23 SOT-23-3
长度 - 3 mm
宽度 - 1.4 mm
高度 - 1 mm
产品生命周期 Unknown Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 - No SVHC
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ)