对比图
型号 CSD17577Q3A RQ3E180BNTB CSD17577Q3AT
描述 N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=35A P=2.8WTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8Pin HSMT EP T/RTEXAS INSTRUMENTS CSD17577Q3AT 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.4 V
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 VSONP-8 PowerVDFN-8 VSONP-8
通道数 1 - 1
漏源极电阻 5.3 mΩ - 0.004 Ω
极性 N-CH - N-Channel
耗散功率 2.5 W 2 W 53 W
阈值电压 1.1 V - 1.4 V
漏源极电压(Vds) 30 V - 30 V
漏源击穿电压 30 V - -
连续漏极电流(Ids) 19A - 19A
上升时间 31 ns - 31 ns
输入电容(Ciss) 2310pF @15V(Vds) 3500pF @15V(Vds) 1780pF @15V(Vds)
下降时间 4 ns - 4 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 85 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 53W (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc) 2.8W (Ta), 53W (Tc)
针脚数 - - 8
长度 3.15 mm - 3.5 mm
宽度 3 mm - 3.5 mm
高度 0.9 mm - 0.9 mm
封装 VSONP-8 PowerVDFN-8 VSONP-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15