2SB1030和2SB1030A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SB1030 2SB1030A 2SA1512

描述 PNP硅外延平面型(低频放大) Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency amplification)PNP硅外延平面型(低频放大) Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency amplification)PNP硅外延平面型 Silicon PNP epitaxial planer type

数据手册 ---

制造商 Panasonic (松下) Panasonic (松下) Panasonic (松下)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

封装 NS-B1 NS-B1 -

额定电压(DC) - -50.0 V -

额定电流 - -500 mA -

极性 PNP PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 25 V 50 V 20 V

集电极最大允许电流 0.5A 1A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) - 85 @150mA, 10V -

额定功率(Max) - 300 mW -

封装 NS-B1 NS-B1 -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Cut Tape (CT) -

RoHS标准 - Non-Compliant -

含铅标准 - Contains Lead -

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