BCW30,235和BCW30LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCW30,235 BCW30LT1G BCW30,215

描述 TO-236AB PNP 32V 0.1AON SEMICONDUCTOR  BCW30LT1G  单晶体管 双极, PNP, -32 V, 225 mW, -100 mA, 215 hFENXP  BCW30,215  单晶体管 双极, 通用, PNP, -32 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 150 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

引脚数 - 3 3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 250 mW 225 mW 250 mW

击穿电压(集电极-发射极) 32 V 32 V 32 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 215 @2mA, 5V 215 @2mA, 5V 215 @2mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) 215 @2mA, 5V - -

额定功率(Max) 250 mW 225 mW 250 mW

耗散功率(Max) 250 mW 300 mW 250 mW

频率 - - 100 MHz

针脚数 - 3 3

直流电流增益(hFE) - 215 150

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

额定电压(DC) - -32.0 V -

额定电流 - -100 mA -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2016/06/20 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

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