对比图
型号 IXFH40N50Q2 SPA04N80C3 SPB20N60C3
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFH40N50Q2 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 500 V, 140 mohm, 10 V, 5 VINFINEON SPA04N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 VINFINEON SPB20N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-263-3
通道数 1 - 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.14 Ω 1.1 Ω 190 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 500 W 38 W 208 W
阈值电压 5 V 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 500 V 800 V 650 V
漏源击穿电压 500 V - -
连续漏极电流(Ids) 40.0 A 4.00 A 20.7 A
上升时间 13 ns 15 ns 5 ns
输入电容(Ciss) 4850pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds) 2400pF @25V(Vds)
下降时间 8 ns 12 ns 4.5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 560W (Tc) 38W (Tc) 208W (Tc)
额定电压(DC) - 800 V 650 V
额定电流 - 4.00 A 20.7 A
额定功率 - 38 W 208 W
额定功率(Max) - 38 W 208 W
输入电容 - - 4.50 nF
工作结温(Max) - - 150 ℃
长度 16.26 mm 10.65 mm 10.31 mm
宽度 5.3 mm 4.85 mm 9.25 mm
高度 21.46 mm 16.15 mm 4.57 mm
封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-263-3
重量 6.00 g - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99